-該專利針對已故的美國技術創(chuàng)新獎得主Praveen Chaudhari博士發(fā)明的技術頒發(fā)，涉及的技術可應用于薄膜太陽能電池、LED、薄膜晶體管(TFT)、場效應晶體管(FET)、太陽能逆變器和納米設備等多個電子行業(yè)
紐約州布賴爾克利夫馬諾2015年4月23日電 /美通社/ -- Solar-Tectic LLC （簡稱ST）今天宣布，美國專利商標局(USPTO)已向公司的多項技術頒發(fā)了一項主要專利（50多個專利申請范圍），其中包括在普通玻璃等廉價襯底上生長單晶體、高度織構或大粒徑半導體薄膜的技術。這些技術是由已故的1995年美國國家技術獎得主Praveen Chaudhari博士發(fā)明，可應用于太陽能、顯示器和LED等多個行業(yè)。

美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質外延單晶體或大粒徑半導體薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術，該技術首次實現(xiàn)了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價襯底上生長的高品質半導體薄膜的低溫沉積。

具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝，其中包括低共熔合金，非常適合大規(guī)模工業(yè)應用，可采用當前用于多個行業(yè)的電子束和化學氣相沉積等普通沉積工藝實現(xiàn)。

一般咨詢或技術授權，請聯(lián)系 Carter Ledyard & Milburn LLP ，電郵： davis@clm.com ，電話：+1-212-238-8850。

Solar-Tectic LLC簡介 Solar-Tectic LLC是一家薄膜專業(yè)公司，主要專注于為在玻璃或金屬襯底上生長單晶或高度織構半導體薄膜開發(fā)專利技術。該公司擁有廣泛的相關領域技術和知識產(chǎn)權組合（基于已故的材料科學家和1995美國國家技術創(chuàng)新獎得主Praveen Chaudhari博士的發(fā)明）。過去一年內(nèi)，多篇有關相關領域研發(fā)進展的論文得到發(fā)表，其中包括S. McMahon等人撰寫的 《通過電子束蒸發(fā)在緩沖的鈉鈣玻璃上生長高度織構硅[111]晶體薄膜》 (Highly textured silicon [111] crystalline thin-film onbuffered soda-lime glass by e-beam evaporation)和A Chaudhari等人撰寫的 《通過電子束在緩沖的鈉鈣玻璃上生長Al203晶體》 (Crystalline Al203 onbuffered soda-lime glass by e-beam)。