新罕布什爾州梅里馬克 2014-06-17－－GT Advanced Technologies Inc.（納斯達(dá)克代碼：GTAT）今日宣布，公司專有的新一代HiCz連續(xù)加料直拉技術(shù)贏得了一個(gè)新項(xiàng)目，可望促進(jìn)太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)向更高效率及更低成本的太陽(yáng)能材料過(guò)渡。 公司與Qatar Solar Energy(QSE)達(dá)成協(xié)議，向QSE于卡塔爾在多哈的集成光伏制造項(xiàng)目提供HiCz(TM)200熔爐。 QSE在最近的一份新聞稿中表示，QSE已實(shí)現(xiàn)了300 MW產(chǎn)能的綜合設(shè)施，并將進(jìn)一步擴(kuò)大至2.5 GW。 該供應(yīng)協(xié)議須待QSE通過(guò)政府批準(zhǔn)及融資成功后方可作實(shí)，屆時(shí)GT將獲得來(lái)自QSE的設(shè)備訂單。

“我們很高興GT能被選擇為QSE提供HiCz(TM)200單晶熔爐，”GT太陽(yáng)能業(yè)務(wù)部行政副總裁Dave Keck表示。 “我們領(lǐng)先的HiCz技術(shù)被中東及北非地區(qū)首個(gè)垂直一體化光伏制造廠所采用，對(duì)GT來(lái)說(shuō)這是一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì)。 GT的 HiCz 200熔爐可望生產(chǎn)效率超過(guò)22%的優(yōu)質(zhì)n型太陽(yáng)能電池片。”

HiCz是GT專有的新一代光伏行業(yè)的單晶直拉爐，可生產(chǎn)p型及n型單晶晶棒。 HiCz連續(xù)加料長(zhǎng)晶工藝比傳統(tǒng)的間歇式Cz熔爐更具明顯優(yōu)勢(shì)，使得其更適合n型硅錠生產(chǎn)。 HiCz長(zhǎng)晶工藝生產(chǎn)更長(zhǎng)的晶棒、材料均勻性更高、電阻率更低。 該工藝流程通過(guò)增加產(chǎn)量降低晶片的成本，提高了材料品質(zhì)，并有助于提高太陽(yáng)能電池片的效率。

關(guān)于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家領(lǐng)先的多元化技術(shù)公司，專門為全球消費(fèi)類電子產(chǎn)品、功率元器件產(chǎn)品、太陽(yáng)能及LED行業(yè)生產(chǎn)先進(jìn)材料及創(chuàng)新晶體生長(zhǎng)設(shè)備。其技術(shù)創(chuàng)新讓更多的先進(jìn)材料可以加快投入市場(chǎng)使用，并在全球各個(gè)不同市場(chǎng)催生新一代的產(chǎn)品面世。有關(guān)GT Advanced Technologies的更多信息，請(qǐng)瀏覽www.gtat.com。