該解決方案擴大了GT可用于生產低成本、開盒即用發(fā)光二極管（LED）晶圓的氮化鎵技術產品供應

新罕布什爾州梅里馬克，2014年3月1日— GT Advanced Technologies (納斯達克代碼：GTAT)今天宣布已經向Kyma Technologies, Inc.收購其等離子體汽相淀積(PVD)技術及專門知識的獨家使用權。Kyma所開發(fā)的等離子體汽相淀積柱狀納米技術(PVDNC(TM))可以在氮化鎵沉淀前，在晶圓上沉積一層高質量的生長型初始層氮化鋁。GT 計劃將等離子體汽相淀積工具商業(yè)化，以配合其正在研發(fā)的氫化物氣相外延(HVPE)系統(tǒng)，這個組合將可以讓LED生產商在圖案化或平面晶圓上，用更低的成本生產更高產量的氮化鎵模板。GT已經有一個可以用于大量生產的原型工具，結合Kyma的等離子體汽相淀積柱狀納米技術，預期到2015年上半年可提供量產工具。

GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez 表示：“Kyma創(chuàng)新的“柱狀納米”PVDNC技術為我們不斷擴張的LED生產基地帶來了重要的補充。我們的目標是提供一系列的解決方案，以提升LED生產的質量及降低成本。將GT的PVD AlN工具與我們正在研發(fā)的HVPE系統(tǒng)相結合，預計可讓LED生產商以比現行生產技術更低的成本生產出開盒即用晶圓。”

Kyma的總裁兼首席執(zhí)行官Keith Evans表示：“我們非常高興GT決定將我們的等離子體汽相淀積柱狀納米技術商業(yè)化。經過多年創(chuàng)新及生產AIN模板，我們深信柱狀納米AlN 薄膜將為LED行業(yè)帶來實實在在的好處。”
今天，將氮化鎵沉積在開盒即用的晶圓時，需要使用較為昂貴而且進程緩慢的MOCVD工具。通過結合PVD與HVPE這兩個流程，將可以生產低成本的氮化鎵模板，廠商將能夠利用現有的LED生產線擴產；另外，由于他們需要的MOCVD 工具更少，此舉也可以降低其資本開支。

關于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家領先的多元化技術公司，專門為全球消費類電子產品、電力電子產品、太陽能及LED行業(yè)生產先進材料及創(chuàng)新晶體生長設備。其技術創(chuàng)新讓更多的先進材料可以加快投入市場使用，并在全球各個不同市場催生新一代的產品面世。有關GT Advanced Technologies的更多信息，請瀏覽www.gtat.com。