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在2012年12月5～7日舉行的太陽能電池展會“PVJapan 2012”（千葉縣幕張Messe會展中心）上，各大公司圍繞太陽能電池的全球最高效率展開了競爭。其中，在結(jié)晶硅型太陽能電池領(lǐng)域，夏普開發(fā)出了采用新構(gòu)造的電池單元，開始參與高效率競爭。
在結(jié)晶硅型太陽能電池領(lǐng)域，此前一直都是SunPower和松下爭奪轉(zhuǎn)換效率最高值。SunPower采用將電極從單元表面去掉，只在背面形成電極的“背接觸”（背面電極）構(gòu)造。這種構(gòu)造能夠有效地防止表面電極遮住部分入射光，能夠增加電流量。該公司曾在2012年春季宣布成功開發(fā)出了單元轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24％的單元。目前正在推進(jìn)量產(chǎn)準(zhǔn)備。
追趕SunPower的松下，采用了在硅晶圓的表面和背面形成非晶硅層的“異質(zhì)結(jié)”構(gòu)造。這種構(gòu)造可在表面和背面防止載流子復(fù)合，因此有望實現(xiàn)高電壓。研發(fā)階段的試制品實現(xiàn)了23.9％的單元轉(zhuǎn)換效率。
而此次夏普開發(fā)的則是將電極從表面去掉，同時在表面和背面形成非晶硅層的單元。該公司在2011年開始在量產(chǎn)產(chǎn)品中采用背接觸構(gòu)造，此次在此基礎(chǔ)上又融合了異質(zhì)結(jié)構(gòu)造（圖1）。雖然2cm見方小型單元的單元轉(zhuǎn)換效率僅為21.7％，不過夏普自信地表示，“這只是最初的試制結(jié)果，還有提高的空間”。
夏普如此自信的依據(jù)是，該公司研發(fā)的新構(gòu)造可以通過背接觸方式增加電流量，同時通過異質(zhì)結(jié)方式實現(xiàn)高電壓。夏普準(zhǔn)備利用這些優(yōu)點趕超SunPower和松下。LG電子等過去也曾在學(xué)會上發(fā)布過關(guān)于組合使用背接觸方式和異質(zhì)結(jié)方式的研究。而夏普在開發(fā)時就瞄準(zhǔn)量產(chǎn)，并且已經(jīng)試制出了普通尺寸的單元。
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| PVJapan 2012現(xiàn)場 |
在結(jié)晶硅型太陽能電池領(lǐng)域，此前一直都是SunPower和松下爭奪轉(zhuǎn)換效率最高值。SunPower采用將電極從單元表面去掉，只在背面形成電極的“背接觸”（背面電極）構(gòu)造。這種構(gòu)造能夠有效地防止表面電極遮住部分入射光，能夠增加電流量。該公司曾在2012年春季宣布成功開發(fā)出了單元轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24％的單元。目前正在推進(jìn)量產(chǎn)準(zhǔn)備。
追趕SunPower的松下，采用了在硅晶圓的表面和背面形成非晶硅層的“異質(zhì)結(jié)”構(gòu)造。這種構(gòu)造可在表面和背面防止載流子復(fù)合，因此有望實現(xiàn)高電壓。研發(fā)階段的試制品實現(xiàn)了23.9％的單元轉(zhuǎn)換效率。
而此次夏普開發(fā)的則是將電極從表面去掉，同時在表面和背面形成非晶硅層的單元。該公司在2011年開始在量產(chǎn)產(chǎn)品中采用背接觸構(gòu)造，此次在此基礎(chǔ)上又融合了異質(zhì)結(jié)構(gòu)造（圖1）。雖然2cm見方小型單元的單元轉(zhuǎn)換效率僅為21.7％，不過夏普自信地表示，“這只是最初的試制結(jié)果，還有提高的空間”。
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| 圖1：旨在通過新構(gòu)造實現(xiàn)高效率化 夏普開發(fā)出了組合使用背接觸方式和異質(zhì)結(jié)方式的新構(gòu)造單元（a）。小面積單元的轉(zhuǎn)換效率目前為21.7％（b）。夏普計劃進(jìn)一步實現(xiàn)高效率化。（圖：夏普） |
夏普如此自信的依據(jù)是，該公司研發(fā)的新構(gòu)造可以通過背接觸方式增加電流量，同時通過異質(zhì)結(jié)方式實現(xiàn)高電壓。夏普準(zhǔn)備利用這些優(yōu)點趕超SunPower和松下。LG電子等過去也曾在學(xué)會上發(fā)布過關(guān)于組合使用背接觸方式和異質(zhì)結(jié)方式的研究。而夏普在開發(fā)時就瞄準(zhǔn)量產(chǎn)，并且已經(jīng)試制出了普通尺寸的單元。
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