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Silicon Genesis公司填補20um“無切損”光伏箔空白

   2009-03-06 美國商業(yè)資訊21世紀新能源18420

加利福尼亞州圣何塞消息――工程基片工藝和技術(shù)的領(lǐng)先者Silicon Genesis今天宣布,它已生產(chǎn)出首家20um厚度太陽能電池箔。研究發(fā)現(xiàn),這種125毫米見方的單晶硅箔既耐用,又有很高的柔性。新形態(tài)既非薄膜,也非晶片,因而被命名為“箔”(foil),以更好地描述這種薄、柔軟、獨立的材料的獨特物理特性。這一成就是SiGen公司PolyMax™無切損切片技術(shù)發(fā)展的重要里程碑。

125mm x 125mm - First ever kerf-free 20um Mono c-Si Solar PV Foil (Photo: Business Wire)

在20um太陽能電池箔結(jié)合了薄膜光伏電池多晶硅用量低和單晶硅光伏電池高效潛力的優(yōu)點。這都為大幅降低總生產(chǎn)成本創(chuàng)造了條件,從而可降低每瓦成本。預(yù)計該20um箔將把傳統(tǒng)的硅光伏電池吸收材料技術(shù)延伸到未來。該單晶硅箔是最近展示的試驗性地用流水線生產(chǎn)厚度150um和50um的原尺寸晶片連續(xù)開發(fā)的成果。這些試點能力正在用于開發(fā)大批量生產(chǎn)設(shè)備。

20um單晶硅箔的推出將使光伏電池制造商能夠以具有成本效益的生產(chǎn)探索新的應(yīng)用和形式。PolyMax 系統(tǒng)的無切損性質(zhì)有助于節(jié)省原料,以及使用更薄的單晶硅晶片和箔發(fā)展新產(chǎn)品類型。

SiGen首席執(zhí)行官Francois Henley說:“我們的20um晶體硅箔技術(shù)的高效潛力為太陽能光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了新的機會。20um箔的柔性便于發(fā)展多種應(yīng)用,如光伏建筑一體化(BIPV)和柔性光伏電池。這增強了我的信心,即薄膜技術(shù)的采用將受到超薄的PolyMax技術(shù)的成本和性能優(yōu)勢的限制。”

PolyMax系統(tǒng)概念和20um基片成果已在《光子》(PHOTON)雜志最近在德國慕尼黑舉辦的“第四屆光伏技術(shù)展”上展出。

關(guān)于SiGen

Silicon Genesis Corporation (SiGen) 是向半導體、顯示器、光電子器件和太陽能市場提供工程基片工藝技術(shù)的一家領(lǐng)先提供商。SiGen的技術(shù)用于生產(chǎn)“絕緣硅”(SOI) 半導體晶片,以用于高性能應(yīng)用。SiGen通過薄膜工程來開發(fā)創(chuàng)新性的基片,為其客戶開辟新的應(yīng)用和市場。在SiGen的客戶和合作伙伴中,不乏世界各地的頂尖基片和設(shè)備供應(yīng)商。SiGen成立于1997年,總部位于美國加利福尼亞州圣何塞市。關(guān)于Silicon Genesis的更多信息,請訪問 http://www.sigen.com

 

 
標簽: 太陽能
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