（圖1 　迄今最強(qiáng)Kleinman-forbidden粉末倍頻效應(yīng)的La4InSbS9）



（圖2　 30–46μm尺寸粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度為商用材料AgGaS2100倍的Ba3CsGa5Se10Cl2）

中遠(yuǎn)紅外（2–20 μm）二階非線性光學(xué)（NLO）材料在光電對(duì)抗、資源探測(cè)、空間反導(dǎo)、通訊等方面有重要的應(yīng)用。目前商用中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料為AgGaS2和ZnGeP2，但這兩個(gè)材料又都存在一些致命的弱點(diǎn)，例如損傷閾值低、雙光子吸收等。因此探索新型中遠(yuǎn)紅外NLO材料是當(dāng)前NLO材料研究的一個(gè)難點(diǎn)和熱點(diǎn)。

在國(guó)家自然科學(xué)基金、中科院重要方向性項(xiàng)目等項(xiàng)目的支持下，福建物構(gòu)所中科院光電材料化學(xué)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳玲研究小組在中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料設(shè)計(jì)與合成研究方面取得了系列突破。創(chuàng)新性提出了非線性功能基團(tuán)組裝、離子基團(tuán)調(diào)控、非線性功能基團(tuán)的不對(duì)稱控制設(shè)計(jì)的學(xué)術(shù)思想，獲得了系列具有優(yōu)良性能的中遠(yuǎn)紅外二階NLO材料，發(fā)現(xiàn)了迄今最強(qiáng)Kleinman-Forbidden粉末倍頻效應(yīng)的新穎結(jié)構(gòu)La4InSbS9材料，該化合物為I型相位匹配中遠(yuǎn)紅外NLO材料，其粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度達(dá)到商用AgGaS2材料的1.5倍，研究成果發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)志雜志上（J. Am. Chem. Soc., 2012, 134, 1993–1995）；通過非線性功能基團(tuán)的金屬中心不對(duì)稱控制獲得了Ba3AGa5Se10Cl2 (A = Cs, Rb, K)系列材料，其中Ba3CsGa5Se10Cl2材料在30-46μm尺寸下粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度高達(dá)商用材料AgGaS2的100倍，研究成果發(fā)表在美國(guó)化學(xué)會(huì)志雜志上（J. Am. Chem. Soc., 2012, 134, 2227–2235），這些材料的發(fā)現(xiàn)及設(shè)計(jì)思想的提出為尋找新型中遠(yuǎn)紅外NLO材料提供新的思路和方向。

此前，該研究小組還在新穎結(jié)構(gòu)NLO晶體材料的研究方面取得了系列進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)了具有良好應(yīng)用前景的NLO晶體材料，如：Ln4GaSbS9 (Ln = Pr, Nd, Sm, Gd–Ho)（J. Am. Chem. Soc.,2011,133, 4617–4624），Pb2B5O9I（J. Am. Chem. Soc.,2010,132, 12788–12789），La2Ga2GeS8和Eu2Ga2GeS7（Inorg. Chem.,2011, 50, 12402–12404）等。